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近日，珠海镓未来科技有限公司Gen3技术平台650/700V系列场效应晶体管（FET）正式宣布全面推广上市。
图片来源：镓未来
镓未来公司指出，该系列产品将从器件可靠性、效率最大化、应用集成度等方面重新定义功率半导体性能边界，其核心突破将为消费电子、新能源汽车、光伏逆变器等多领域带来革命性的能效跃升。
据悉，Gen3技术平台采用创新栅极设计，实现所有宽禁带器件中最强的栅极鲁棒性，栅极驱动简单且与传统Si MOSFET完全兼容。这一特性使现有产线无需大规模改造即可实现技术升级，显著降低客户导入成本。
Gen3技术平台实现同规格产品最低的反向电压降特性，较行业平均水平降低25%，显著减少续流损耗。在高频开关应用中，这一优势可使整体系统效率提升0.3-0.5个百分点，特别适用于新能源汽车主逆变器和高频DC/DC转换器。
通过引入新工艺设备，Gen3平台成功攻克了老产线的制造桎梏。公司采用更紧凑的互连结构与低延迟栅极优化布线，显著降低了互连部分占地面积。凭借工艺与结构的协同创新，平台DPW相对提升33%，FOM相对优化15%，达成了更小尺寸与更强性能的统一。
展开剩余52%在最大输出功率约7700W的严苛条件下，相同 Rds(on) 器件实测温升降低8.6℃，相对降幅高达66%。显著提升系统在持续高功率运行时的稳定性和寿命。
Gen3技术平台提供全面的封装解决方案，覆盖从消费电子到工业级应用的全场景需求：
支持包含TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK等全系列近20种封装。
Gen3技术平台已覆盖多个战略领域，消费电子领域，镓未来已与联想、大疆、LG、惠普、台达、小米等多家PD快充适配器头部企业达成量产合作，助力多款适配器走进用户生活。
工业与能源领域，镓未来凭借业界首款3.6kW双向储能逆变器及效率高达98%的3kW通讯电源等成果，奠定了在工业与能源领域的稳固地位。
交通电动化领域，镓未来G3E65R009系列——全球Rdson最小的650V氮化镓分立器件，IDS (pulse) 实测可达1500A，是全球通流能力最大的GaN分立器件，目前已与多家头部车厂及供应商开启研发验证。
此外，镓未来Gen3系列产品的应用已广泛覆盖LED照明、高性能计算、家电与电机等多个领域。同时，面对AI等智能化领域的快速发展，公司正通过持续的技术迭代与产业升级，积极开拓新的合作机会与技术切入点。
（文/集邦化合物半导体整理）
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